From October 15 to 19, 1995 a Workshop on Hetero- structureEpitaxyandDeviceswasheldatSmoleniceCastlenear Slovakia'scapital Bratislava. The intention ofthisWorkshop was toestablishandstrengthentiesbetweenscientistsoftheformerly Socialist East and Middle-European states with their colleagues fromtheWesterncountries. WiththisaimtheWorkshopfoundthe financialsupportbyNATOwhichtremendouslyhelpedtofacilitate organizingthemeeting That the Workshop was also a scientific success is evidenced by the present volume comprising a selection of the contributed papers. We are confident that the reader of these Proceedings can convincehimselfofthe highqualityofthe work whose results are presented here. We hope that this and the numerousdiscussionsbetweenthe participants ofthe Workshop will promote cooperations among scientists from the countries representedatthemeeting. It is a pleasure to express our gratitude to NATO and, as representatives ofthe institutions involved in the organization, to Lubomir Malacky (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences) and Hergo-Heinrich Wehmann (Institute for Semiconductor Technology, Technical University Braun- schweig) whose dedicated work was most essential for the Workshop. A. Schlachetzki J. Novak November1995 xiii SIMULATIONOFIII-VLAYERGROWTH y. ARIMA DepartmentofPhysics, Gakushuin University 1-5-1 Mejiro, Toshima-ku, Tokyo 171, Japan AND T. IRISAWA ComputerCenter, Gakushuin University 1-5-1 Mejiro, Toshima-ku, Tokyo 171, Japan 1. Introduction Since it was reported [1] that the intensities of RHEED for the growing surface of aGaAs crystal in the process of MBE oscillate with a period correspondingto the completion of a monolayer, this phenomenon has been applied to the thin layer growth of man-made superlattices.

Wohl das auffalligste Charakteristikum der Entwicklung der mo- dernen Elektronik ist der kontinuierliche Trend zu einer Mi- niaturisierung der Bauelemente und zu einer Integration der Schaltungen in einem einzigen Halbleiterkristall. Der Einfluss der integrierten Schaltungen ist in zunehmendem Mass in nahezu allen Bereichen des wirtschaftlichen Lebens zu spuren. Trotz- dem ist in deutscher Sprache nur wenig Literatur erhaltlich, die als Einfuhrung in das Gebiet der integrierten Schaltungen geeignet ware. Mit dem vorliegenden Skriptum wird versucht, diesem Mangel abzuhelfen. Das Skriptum ist in erster Linie zum Gebrauch neben einer Vor- lesung gedacht, die sich uber zwei Semester in zwei Wochenstun- den an Studierende der Elektrotechnik etwa ab dem 6. Semester wendet. Da das Skriptum moeglichst wenig Bezug auf weiterfuhren- de Literatur nimmt, sollte es auch fur diejenigen geeignet sein, die beruflich an integrierten Schaltungen interessiert sind und uber einige Grundkenntnisse der Festkoerperphysik ver- fugen. Das Skriptum befasst sich vorwiegend mit den technologischen Aspekten der Herstellung integrierter Schaltungen. Da aber ei- ne enge Beziehung zum Schaltungsentwurf besteht, werden auch die Schaltungskonzepte beschrieben, die fur integrierte Schal- tungen von besonderer Wichtigkeit sind oder (wie die superinte- grierten Schaltungen, Kap. 4.4) durch sie uberhaupt erst reali- sierbar werden. Gemass seiner uberra enden wirtschaftlichen Be- deutung nimmt die Behandlung des Halbleiters Silizium den bei weitem groessten Teil des Skriptums ein. Daneben werden auch In- tegrationsformen auf Galliumarsenid und magnetischen Werkstof- fen gestreift (Kap. 7), die fur zUkunftige Anwendungen gute Aussichten bieten.