1 Vakuumbeschichtungsverfahren - UEbersicht.- 2 Bedeutung der Vakuumtechnik fur die Beschichtungstechnik.- 2.1 Vorbemerkungen.- 2.2 Einfluss der Restgase auf die Schichtreinheit.- 2.3 Vakuumerzeugung.- 2.4 Vakuummessung.- 2.4.1 Warmeleitungsvakuummeter.- 2.4.2 Reibungsvakuummeter.- 2.4.3 Kaltkatoden-Ionisationsvakuummeter.- 2.4.4 Ionisationsvakuummeter mit Gluhkatode.- 2.4.5 Totaldruckmessung bei Beschichtungsprozessen.- 2.4.5.1 Konventionelle Katodenzerstaubung.- 2.4.5.2 Reaktive Katodenzerstaubung.- 2.4.5.3 Konventioneles Aufdampfen.- 2.4.5.4 Reaktives Aufdampfen.- 2.4.6 Partialdruckmessung.- 3 Aufdampfen im Hochvakuum.- 3.1 Vorbemerkungen.- 3.2 Physikalische Grundlagen.- 3.2.1 Verdampfungsprozess.- 3.2.2 Transportphase.- 3.2.3 Kondensationsphase.- 3.3 Anlagentechnik.- 3.3.1 Vorbemerkungen.- 3.3.2 Zubehoer zu Aufdampfanlagen.- 3.3.2.1 Verdampfungsquellen.- 3.3.2.1.1 Allgemeines.- 3.3.2.1.2 Widerstandsbeheizte Verdampfungsquellen.- 3.3.2.1.3 Elektronenstrahlverdampfer.- 3.3.2.1.4 Sonstige Verdampfungsquellen.- 3.3.2.1.5 Verdampfen von verschiedenen Materialien.- 3.3.2.2 Substrathalter.- 3.3.2.3 Substratheizung.- 3.3.2.4 Glimmeinrichtung.- 3.3.2.5 Testglaswechsler.- 3.3.2.6 Blenden.- 3.3.2.7 Schichtdickenmessgerate.- 3.3.2.8 Vakuumausrustung.- 3.3.2.9 Weiteres Zubehoer zu Aufdampfanlagen.- 3.3.3 Anlagen zum Herstellen optischer Schichten.- 3.3.3.1 Grundsatzliches.- 3.3.3.2 Wichtige Verfahrenshinweise.- 3.3.3.2.1 Vakuumbedingungen.- 3.3.3.2.2 Schichtdickengleichmassigkeit.- 3.3.3.3 Anlagentechnik.- 3.3.4 Anlagen zum Metallisieren von Kunststoffteilen.- 3.3.4.1 Allgemeines.- 3.3.4.2 Einfluss von Kunststoffeigenschaften auf den Beschichtungsprozess.- 3.3.4.3 Anlagentechnik.- 3.3.5 Anlagen zum Beschichten von Papier- und Kunststoffolien.- 3.3.5.1 UEbersicht.- 3.3.5.2 Anlagenkonzeption und Prozessablauf.- 3.3.5.3 Ausfuhrungsformen von semikontinuierlich betriebenen Folienbeschichtungsanlagen.- 3.3.6 Anlagen zum Beschichten grosser Flachen.- 4 Ionenplattieren.- 4.1 Einleitung.- 4.2 Ionenplattierungsprozess.- 4.2.1 Plasmaphysikalische Grundlagen.- 4.2.2 Reinigung der Substratoberflache.- 4.2.3 Gefugestruktur der ionenplattierten Schichten.- 4.2.4 Haftfestigkeit ionenplattierter Schichten.- 4.2.5 Reaktives Ionenplattieren.- 4.3 Anlagentechnik.- 4.3.1 Materialquellen fur das Ionenplattieren.- 4.3.2 Ionisierungserhoehung beim Ionenplattieren.- 4.3.3 Alternierendes Ionenplattieren.- 4.4 Entwicklungsstand und Ausblick.- 5 Ionenzerstaubung von Festkoerpern (Sputtering).- 5.1 Einfuhrung.- 5.2 Beschreibung des Zerstaubungsprozesses.- 5.2.1 Zur Theorie der Festkoerperzerstaubung durch Teilchenbeschuss.- 5.2.2 Numerische Naherungen.- 5.2.3 Zerstaubungsausbeuten elementarer Targets bei senkrechtem Ionenbeschuss.- 5.2.3.1 Abhangigkeit von der Beschussenergie.- 5.2.3.2 Abhangigkeit von Ytot vom Targetmaterial und der Beschussteilchenart.- 5.2.4 Beschusswinkelabhangigkeit der Zerstaubungsausbeute.- 5.2.5 Zerstaubung nichtelementarer Targets und partielle Zerstaubungsausbeuten.- 5.2.6 Energie- und Winkelverteilung bei der Festkoerperzerstaubung.- 5.2.6.1 Winkelverteilungen gesputterter Teilchen.- 5.2.6.2 Energieverteilungen zerstaubter Neutralteilchen.- 5.2.7 Einkristalline Effekte bei der Festkoerperzerstaubung.- 5.2.8 Zusatzliche Effekte beim Teilchenbeschuss von Festkoerperoberflachen.- 5.3 Plasmagestutzte Zerstaubungsverfahren.- 5.3.1 Plasmaphysikalische Grundlagen von Zerstaubungsanlagen.- 5.3.2 Ausfuhrungsformen von Zerstaubungsanlagen.- 5.4 Anlagentechnik.- 5.4.1 Grundsatzliches.- 5.4.2 Einkammeranlagen.- 5.4.2.1 Allgemeines.- 5.4.2.2 Ausfuhrungsformen von Einkammeranlagen.- 5.4.2.3 Anlagenzubehoer.- 5.4.2.3.1 Vakuumausrustung.- 5.4.2.3.2 Katoden.- 5.4.2.3.3 Blenden.- 5.4.2.3.4 Infrarotheizung.- 5.4.2.3.5 Raten- und Schichtdickenmessgerate.- 5.4.3 Zweikammeranlagen.- 5.4.4 Mehrkammeranlagen.- 6 Teilchenstrahlgestutzte Verfahren.- 6.1 Einleitung.- 6.2 Teilchenstrahlquellen.- 6.2.1 Ionenstrahlerzeugung.