Makromodellierung parasitarer Substrateffekte von Bipolartransistoren einer BiCMOS-Technologie (German, Paperback)

Diplomarbeit aus dem Jahr 1996 im Fachbereich Elektrotechnik, Note: 1,3, Technische Universitat Darmstadt (Unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe: Einleitung: Die vorliegende Arbeit behandelt die Modellierung und die Erklarung parasitarer Substrateffekte, wie sie bei lateralen Transistorstrukturen auftreten. Der Modellierung von lateralen Transistoren wurde schon einmal Ende der 60er Jahre grosse Beachtung zuteil. Einhergehend mit den Bestrebungen hin zu immer kleineren Strukturen und einfachen Technologien wurden zahlreiche Untersuchungen zu diesem Thema vorgenommen. Die Abhandlungen zu dieser Zeit beschaftigen sich denn auch meist mit prinzipiellen Beschreibungen der Funktionsweise der Lateralstrukturen im Hinblick auf Verbesserungen in ihrer Effektivitat. Mit dem Aufkommen der MOS sank auch das Interesse an Bipolartechnologien und damit auch an der Modellierung von lateralen pnp-Transistoren. Nachdem gerade in neuester Zeit neue Kombinationstechnologien entwickelt werden, in denen Analog- und Digitalfunktionen auf einem Chip realisiert werden sollen, den sogenannten BiCMOS-Technologien, kommen auch vermehrt wieder laterale Transistoren zum Einsatz. Ein Grund dafur ist, dass man bei der Integration von Bipolartransistoren in einer BiCMOS-Kombinationstechnologie aus Grunden der vereinfachten Prozessfuhrung gezwungen ist, die Strukturen der Transistoren gegenuber Standard-Bipolartechnologien zu modifizieren. Neben veranderten Dotierungskonzentrationen, Eindringtiefen oder Abschirmungsmassnahmen ergeben sich vor allem im strukturellen Aufbau der Transistoren Veranderungen. Im Bipolarteil solcher BiCMOS-Prozesse werden deshalb die pnp-Transistoren meist in lateraler Form ausgefuhrt. Daruber hinaus findet eine Optimierung des Prozesses im Hinblick auf die npn-Transistoren statt, da mit ihnen naturgemass effektivere Bauteile hergestellt werden konnen. Ein grosses Problem bei lateralen Transistoren ist zum einen das nicht mehr spezifische Transistorverhalt

General

Imprint:	Diplom.de
Country of origin:	United States
Release date:	1998
First published:	1998
Authors:	Roland Fischer
Dimensions:	210 x 148 x 5mm (L x W x T)
Format:	Paperback - Trade
Pages:	80
ISBN-13:	978-3-8386-0633-0
Languages:	German
Categories:	Books > Professional & Technical > Energy technology & engineering > Electrical engineering > General
LSN:	3-8386-0633-7
Barcode:	9783838606330

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